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东芝推出全新1200V和1700V碳化硅botiantang官网平台 BBIN波音厅百家乐,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。
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2022/01/27
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SiC-MOSFET
冷观碳化硅“上车”热潮
国内碳化硅功率器件行业还呈现“小”“散”特征,未来五年将是整合期,车规级碳化硅功率器件与国外公司还有较大差距。此外,碳化硅功率器件技术仍在演进过程中,还需关注其中风险,“热潮”下也要“冷观”。
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2022/01/14
碳化硅
碳化硅功率器件
SiC botiantang官网平台 BBIN波音厅百家乐的硬并联
以对称的布板设计来实现4个6毫欧的碳化硅模块的并联,给出了实际的测量结果。最后还通过门特卡罗分析来演绎批量器件应用在并联场合下的温度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并联使用的可行性。
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2021/02/20
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